投資界（ID：pedaily2012）5月9日消息，北一(yī / yì ／yí)半導體科技（廣東）有限公司（以(yǐ)下簡稱“北一(yī / yì ／yí)半導體”）成功完成了(le／liǎo)B+輪融資，由上(shàng)海吾同私募基金管理有限公司領投的(de)1億元資金已經到(dào)位；另有5000萬元投資金額在(zài)結尾工作中，預計本輪融資總額将達到(dào)1.5億元。
北一(yī / yì ／yí)半導體一(yī / yì ／yí)直緻力于(yú)碳化矽mosfet技術的(de)研發與突破。碳化矽作爲(wéi / wèi)一(yī / yì ／yí)種新型的(de)半導體材料，具有高溫穩定性、高抗輻射性、高導電率等諸多優點，在(zài)新能源汽車、航空航天、智能電網等領域有着廣闊的(de)應用前景。而(ér)mosfet作爲(wéi / wèi)半導體器件的(de)重要(yào / yāo)組成部分，其性能直接決定了(le／liǎo)電子(zǐ)設備的(de)效能和(hé / huò)可靠性。
此輪融資資金，北一(yī / yì ／yí)半導體将主要(yào / yāo)用于(yú)sic mosfet技術的(de)進一(yī / yì ／yí)步研發，以(yǐ)及産線的(de)升級與擴建。一(yī / yì ／yí)方面，通過加大(dà)研發投入，加快技術創新的(de)步伐，提升sic mosfet的(de)性能指标和(hé / huò)生産效率；另一(yī / yì ／yí)方面，通過産線的(de)升級與擴建，提高生産規模，滿足市場需求，推動sic mosfet的(de)産業化進程。這(zhè)些舉措不(bù)僅有助于(yú)提升北一(yī / yì ／yí)半導體的(de)核心競争力，也(yě)将爲(wéi / wèi)整個(gè)半導體産業的(de)發展注入新的(de)動力。